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ポータブル機器のバッテリ長寿命化に貢献 0.93Vからの低電圧動作を実現!しかも低消費電力! 低電圧(1セル)動作ヘッドフォンアンプ BU7150NUVを開発!

発表日:2010-04-22 半導体メーカのローム株式会社(本社:京都市)は、ICレコーダやノイズキャンセリングヘッドフォンなど、乾電池を用いたポータブル機器向けに、0.93Vで動作することによりバッテリの長寿命化に貢献できる低電圧(1セル)動作ヘッドフォンアンプBU7150NUVを開発しました。この製品を用いることで、乾電池1本(1.5V)で長時間のオーディオアンプの動作が可能になり、ポータブル機器のバッテリの長寿命化に貢献できます。  この新製品は、すでに月産15万個の体制で量産を開始しております(サンプル価格400円/個)。生産拠点は前工程をローム株式会社 本社(京都市)、後工程をROHM ELECTRONICS PHILIPPINES, INC.(フィリピン)となっております。 昨今、ICレコーダやノイズキャンセリングヘッドフォンなどのポータブル機器は乾電池1本で動作するものが中心になっていますが、こうした機器で用いられるヘッドフォンアンプは、従来は最低動作電圧が1.5Vを超えるものが多く、乾電池1本の電圧(1.5V)では動かないため、昇圧用DC/DCコンバータ回路が必要となり、10%程度の電圧変換ロスが発生していました。また一部、0.9V程度の電圧まで動作するヘッドフォンアンプもありましたが、乾電池を使用したセットでは、電池の放電に伴なう出力抵抗の増加で電源の立ち上がり時間が遅くなることがあり、電源電圧の立ち上がり時間に制限のある一部の製品では使いづらい面がありました。今回ロームが開発した「BU7150NUV」は、最低動作電圧が0.93Vのため、乾電池1本でも昇圧回路無しで使用可能なことに加えて、電源電圧の立ち上げ時間に影響しないパワーオンリセット機能内蔵によりお客さまにとって使いやすいICとなっています。 また、その他の特長として、 ①セットの仕様に応じてステレオヘッドフォンアンプ/モノラルスピーカアンプのどちらの方式にも対応可能、 ②良好なクロストーク特性(85dB)により臨場感の高い音声を再現、 ③電源オフ・音声オフ状態からアンプ回路が起動完了するまでの自動シーケンスを内蔵してマイコンへの負担を軽減、 ④クリック・ポップノイズ低減回路内蔵など、 数々の特長を有しています。 さらにこのBU7150NUVは電源電圧3.5Vまでの動作を保証しているため、電子辞書や電子玩具など電池2本を使用したセットの場合でも使用できることに加えて、 電圧の異なるラインアップ展開の際にもシステムの大幅な設計変更を必要としないため、お客さまにとって大変使いやすいものとなっています。 ロームでは、得意のオーディオ回路設計技術、低消費電力化技術を活かしたLSI商品ラインアップの開発に注力し、 セットの付加価値の向上に貢献できる製品シリーズの拡充に努めてまいります。 ■低電圧(1セル)動作ヘッドフォンアンプ「BU7150NUV」の特長 広範囲な動作電源電圧範囲 0.93V~3.5V(温度0℃~85℃時)、1.03V~3.5V(温度-40℃~85℃時) 電源電圧の立上げスルーレートに制限を受けないパワーオンリセット回路内蔵 シャットダウンモード・ミュートモードに対応した自動シーケンスを内蔵 外付け部品で起動完了までの時間を変更可能 モノラルスピーカ向けBTLモードとシングルエンドステレオヘッドフォンモードの選択可能 クリック・ポップノイズ低減回路内蔵 サーマルシャットダウン保護回路内蔵 小型パッケージ(VSON010V3030:3.0mm×3.0mm h=1.0mm) ■動作電圧の比較 ■ステレオヘッドフォンアンプの回路例 ■絶対最大定格 項目 記号 定格 単位 電源電圧 VDD 4.5 V 入力電圧 VIN VSS-0.3~VDD+0.3 V 入力電流 IIN -10~10 mA 許容損失 PD 560 ※ mW 保存温度範囲 TSTG -55~+150 ℃ Ta=25℃以上で使用する場合は、1℃につき5.6mWを減じます。 74.2mm×74.2mm×1.6mm 基板実装時(ガラスエポキシ片面1層基板) ■電気的特性(特に指定のない限り、Ta=25℃、VDD=1.5V、f=1kHz) 項目 記号 規格値 単位 備考 MIN TYP MAX 無信号時回路電流 IDD – 1.0 1.4 mA 無負荷、無信号時 シャットダウン時静止電流 ISD – 3 9 μA SDB端子=VSS ミュート時回路電流 IMUTE – 15 – μA MUTEB端子=VSS,SE 出力オフセット電圧 VOFS – 5 50 mV |VOUT1-VOUT2|, 無信号時 最大出力電力 PO 70 85 – mW RL=8Ω,BTL, THD+N=1% – 14 – mW RL=16Ω,SE, THD+N=1% 雑音高調波歪率 THD+N – 0.2 0.5 % 20kHz LPF, RL=8Ω, BTL, PO=25mW – 0.1 0.5 % 20kHz LPF, RL=16Ω, SE, PO=5mW 出力雑音電圧 VNO – 10 – μVrms 20kHz LPF + A-weight クロストーク CT – 85 – dB RL=16Ω,SE, 1kHz BPF 電源電圧除去比 PSRR – 62 – dB リプル電圧=200mVP-P, 正弦波 RL=8Ω, BTL, CBYPASS=4.7μF – 66 – dB リプル電圧=200mVP-P, 正弦波 RL=16Ω, SE, CBYPASS=4.7μF 入力’H’レベル VIH 0.7 – – V MUTEB, SDB端子に適用 入力’L’レベル VIL – – 0.3 V MUTEB, SDB端子に適用

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